摘要：采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析.结果表明,对蓝宝石衬底腐蚀50 min情况下,外延生长的GaN薄膜晶体质量最优,其（0002）面上的XRD半峰全宽为202 .68arcsec ,（10-12）面上的XRD半峰全宽为300 .24arcsec ;其均方根粗糙度（RMS）为0 .184 nm.

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