首页 期刊 光学学报 阳离子取代对Lu3Ga5O12∶Tb^3+晶体结构与发光性能的影响 【正文】

阳离子取代对Lu3Ga5O12∶Tb^3+晶体结构与发光性能的影响

作者:朱宪忠 储成林 南京信息职业技术学院微电子学院 江苏南京210046 东南大学材料科学与工程学院 江苏南京211189
材料   阳离子取代   光致发光   红移  

摘要:采用高温固相法制备了Lu3Ga5O12:Tb3+体系荧光粉,研究了Y3+、Gd3+和Al3+离子分别取代Lu3+和Ga3+离子后对荧光粉晶体结构和发光性能的影响。结果表明,Lu3Ga5O12∶Tb3+具有石榴石结构,激发光谱由A、B两个宽激发带及一些窄谱峰构成,分别归属于Tb3+的4f8→4f75d1和4f8→4f8的电子跃迁。紫外激发下的发射光谱对应于Tb3+5D4→7FJ和5D3→7FJ跃迁。对于(Lu,Y)3Ga5O12∶Tb3+体系,随着Y3+浓度的增加,晶格膨胀,A、B宽带红移,带间距缩小,激发与发射强度提高。对于(Lu,Gd)3Ga5O12∶Tb3+体系,当Gd3+浓度低于0.75时,随着Gd3+浓度的增加,荧光粉性能变化与引入Y3+时情况相似,并更为显著;实验中观察到Gd3+→Tb3+能量传递现象。对于Lu3(Ga,Al)5O12∶Tb3+体系,随着Al3+含量的增加,晶格收缩,A、B宽带红移,带间距扩大,激发与发射强度提高。阳离子的半径差异及其引起的Tb3+晶场环境的变化是影响荧光粉性能的主要原因。

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