摘要：通过分光椭偏测量技术、并采用Drude和Tauc-Lorentz复合模型,研究了铟锡氧（ITO）薄膜在不同基底温度和退火过程中光学介电函数的变化。通过与霍尔效应以及光学带隙测试的数据对比,发现ITO薄膜的载流子浓度和光学带隙变化分别对材料红外和紫外波段光学介电函数有影响。通过分别研究材料在低能端和高能端的介电函数,得到光学介电函数与薄膜的载流子浓度和光学带隙的关系。该研究确定了利用非接触分光椭偏技术对ITO薄膜的电学和光学特性进行定量分析的近似方法。

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