摘要：针对40 nm MOSFET和表征其噪声机理的漏极电流噪声进行了研究,从强反型区到弱反型区对高频特性进行了测量和分析,建立了一个基于物理的40 nm MOSFET漏极电流噪声简洁模型。77 K和300 K温度条件下的研究结果表明:在低压弱相互作用条件下,40 nm MOSFET的高频噪声机理由受抑制的散粒噪声转变为热噪声。这个噪声机理的发现有利于纳米级MOSFET在弱反型区的高频建模和低功耗应用。

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