首页 期刊 固体电子学研究与进展 X射线在肖特基与酞菁氧钛界面剂量增强系数的模拟 【正文】

X射线在肖特基与酞菁氧钛界面剂量增强系数的模拟

作者:张建芳; 特木尔巴根 内蒙古民族大学物理与电子信息学院
x射线   肖特基   剂量增强系数   蒙特卡罗方法   酞菁氧钛  

摘要:用蒙特卡罗方法计算不同能量的X射线在Schottky-TiOPc-Schottky界面处产生的剂量增强系数(DEF)与肖特基(Schottky)和酞菁氧钛(TiOPc)厚度的关系。结果表明,界面下的DEF随TiOPc厚度的增加而增大,随Schottky厚度的增加而减小。同时模拟了Schottky-TiOPc单层与Schottky-TiOPc-Schottky双层结构在TiOPc一侧的DEF,对于Schottky-TiOPc-Schottky结构,界面下产生的剂量增强效应更明显。此外还研究了X射线从不同角度照射Schottky-TiOPc器件时,界面处DEF的变化情况,0°时较大,90°时最小。

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