首页 期刊 固体电子学研究与进展 级联型单级分布式宽带单片功率放大器 【正文】

级联型单级分布式宽带单片功率放大器

作者:曹海勇 陈效建 钱峰 单片集成电路与模块部级重点实验室 南京210016
微波单片集成电路   级联型单级分布式放大器   宽带功率放大器  

摘要:报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6~18GHz频率范围内线性增益13.5dB,平坦度士1dB,输入输出驻波比均小于2。全频带上,饱和输出功率为300-450mW,功率附加效率大于15%。该宽带单片功率放大器在历100mmGaAsMMIC工艺线上采用0.25um功率pHEMT标准工艺制作,芯片尺寸为2.7mm×1.25mm×0.08mm。

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