首页 期刊 固体电子学研究与进展 一种压阻式高g值加速度传感器 【正文】

一种压阻式高g值加速度传感器

作者:陈德英; 茅盘松; 张旭; 王强 东南大学MEMS重点实验室; 南京; 210096
压阻效应   高g值   加速度传藤器   soi衬底   硅胶灌注  

摘要:讨论了硅的压阻效应,利用简化的力学模型设计了高g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图,并制备出样品,测试结果表明本传感器加速度可大于8 000g.

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