首页 期刊 硅酸盐学报 纯氧高气压溅射PZT铁电薄膜 【正文】

纯氧高气压溅射PZT铁电薄膜

作者:曾亦可; 姜胜林; 邓传益; 陈实; 刘梅冬 华中科技大学电子科学与技术系; 武汉; 430074
锆钛酸铅   铁电薄膜   溅射   电滞回线  

摘要:用Pb(Zr0.55Ti0.45)O3烧结陶瓷作为靶材,在纯氧、高气压溅射条件下成功地原位沉积了锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)铁电薄膜.为了弥补靶材在烧结过程中Pb的挥发及溅射成膜过程中发生Pb的损失,以PbO计,加入了质量分数为5.0%的过量Pb3O4.实验发现:当最佳靶-基片距离-定时,n(Pb)/n(Zr+Ti)成份偏析的比例随最佳靶-基片距离偏差的增加而降低.PZT铁电薄膜的X射线衍射分析表明,PZT铁电薄膜中存在PbO和钛锆固溶型氧化物,但无焦绿石相.PZT铁电薄膜的铁电性测量表明:剩余极化Pr达到14.1μc/cm2,矫顽电场Ec较小,Ec与Pb(Zr0.55Ti0.45)O3烧结陶瓷靶材的值相当,其电滞回线具有很好的对称性.

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