首页 期刊 功能与分子医学影像学 早发精神分裂症的钩束磁共振弥散张量FA值变化及意义 【正文】

早发精神分裂症的钩束磁共振弥散张量FA值变化及意义

作者:杨毅; 何明颖; 黄莹; 钱绍文; 陈自谦 福州福建医科大学; 350108; 解放军第一八0医院影像科; 福建医科大学福总临床医学院影像科
早发精神分裂症   弥散张量成像   fa  

摘要:目的应用磁共振弥散张量成像(DTI)对早发精神分裂症(EOS)患者的脑部钩束进行研究,探 讨其白质微结构改变与临床症状的关系.方法使用西门子3.0 T 磁共振对2 5例 EOS患者和18例正常人 进行脑部DTI检查,将得到的双侧钩束的部分各向异性(FA)值进行统计学分析.结果 EOS患者左右侧钩 束的FA值分别为0.55 ± 0.14和0.57 ± 0.13.相比对照组, EOS组左右钩束FA值显著增加(左侧P= 0.001, 右侧:P = 0.002).结论 钩束的FA值异常有助于早发精神分裂症的早期诊断和鉴别.

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