摘要：将不同线性能量转移的碳到铜等五种粒子注入晶体管或电路,研究了NMOS和PMOS在不同重离子浓度下的归一化收集电荷。利用TCAD三维仿真研究了体偏置对绝缘体上硅(SOI)CMOS技术单粒子瞬态(SET)的影响。结果发现,单次瞬态特性,包括电荷收集和瞬态脉冲宽度,可以通过合理的体偏置来大幅改善。这一结果可为空间和军事应用中的集成电路加固提供了一种来减轻单粒子瞬态效应的新方法。

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