摘要：采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜，研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响。利用红外透射谱（FTIR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、光电能谱（XPS）和荧光光谱（PL）对生成的GaN薄膜进行组分、结构、表面形貌和发光特性分析。测试结果表明：采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN晶体膜。同时显示：在相同的氮化温度和时间下，随着硅基扩镓时间的增加，薄膜的晶体质量和发光特性得到明显提高。但当硅基扩镓时间进一步增加时，薄膜的晶体质量和发光特性却有所降低。较适宜的硅基扩镓时间为40min。

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