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SnO2-Zn2SnO4与SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷电学性能对比研究

作者:臧国忠; 王晓飞; 李立本; 王丹丹 河南科技大学物理与工程学院; 河南省光电储能材料与应用重点实验室; 河南洛阳471023
压敏电阻   介电性质   电子陶瓷   电容   晶界势垒  

摘要:通过传统陶瓷制备工艺制备了SnO2-Zn2SnO4陶瓷复合物,与某型号商用SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷对比了电学性能。结果显示,尽管二者的压敏电压均低于10V/mm,但SnO2-Zn2SnO4陶瓷具有较为优越的电学非线性性质,其非线性系数达到7.6,漏电流仅为56μA/cm2。40Hz时,SnO2-Zn2SnO4陶瓷的相对介电常数为2×104,低于SrTiO3的9×104,同时,SnO2-Zn2SnO4陶瓷的介电损耗要高于SrTiO3,且随着频率的升高急剧降低。通过对比研究,SnO2-Zn2SnO4陶瓷具有潜在的应用价值。

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