摘要：利用三维器件模拟软件，研究了深亚微米三栅FinFET的短沟道效应，并模拟了阈值电压和亚阈值摆幅随硅鳍（fin）厚度和高度的变化情况。通过优化硅鳍厚度或高度，可以有效的控制短沟道效应。在进一步对深亚微米三栅FinFET的拐角效应进行二维数值模拟的过程中，并未观察到由拐角效应引起的泄漏电流。与传统的体硅CMOS结构有所不同，拐角效应并未使得深亚微米三栅FinFET性能变差，反而提高了其电学性能。

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