摘要：采用分析纯SnCl4·5H2O和NH3·H2O为主要原料，控制不同Co^2＋／Sn^4＋摩尔比，利用均匀共沉淀法制备了（Sn1-xCo2x）O2纳米粉体样品，并以白云母为基片利用厚膜工艺制得气敏元件。对样品的结构、结晶性能和活性等分析发现，Co件以类质同像的方式代替了SnO2晶格中的Sn^4＋，并引起了M—O键长、晶胞参数和M-O八面体电价平衡的非均一性，进而提高了粉体活性及n型半导体性能。在不同浓度H2中元件气敏性能测试表明，Co^2＋的引入提高了Sn02的H2灵敏度。元件的灵敏度与H2浓度之间具有较好的线性关系。实验得到了制备（Sn1-x,Co2x）O2气敏材料的最佳Co^2＋／Sn^4＋摩尔比。

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