摘要：研究了一种无金属催化剂生长GaN纳米线阵列的方法。通过HCl气体作为催化剂，利用氢化物气相外延（HVPE）系统在GaN／sapphire模板上制备出纯净的GaN纳米线阵列；利用扫描电镜（SEM）、能量分散X射线荧光（EDx）谱和透射电镜（TEM）测试，研究了生长条件的变化对GaN纳米线阵列的影响，分析了GaN纳米线阵列的生长过程并探索了其生长机理，为GaN纳米线阵列的可控生长提供了理论依据。

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