首页 期刊 光电子激光 Nd:GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能 【正文】

Nd:GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能

作者:杨菁; 秦连杰; 孟宪林; 张小民 山东大学信息科学与工程学院; 山东; 济南; 250100; 中国工程物理研究院激光聚变研究中心; 四川绵阳; 621900; 烟台大学环境和材料工程学院; 山东; 烟台; 264005; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东; 济南; 250100; 中国工程物理研究院激光聚变研究中心; 四川绵阳; 621900
调q   激光输出   ld端面泵浦   调制   激光性能  

摘要:通过液相合成方法提纯Nd∶GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体"后天性光散射",Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd∶GdVO4单晶.采用不同透过率的Cr4+∶YAG晶体对Nd∶CdVO4晶体进行激光调Q实验.实验结果显示,Cr4+∶YAG Nd∶GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出.实验得到的最小脉冲宽度只有6 ns,对应峰值能量为26.4 kW.对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大.对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8 W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63 W.

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