首页 期刊 高电压技术 绝缘子表面污层位置对流注放电的影响 【正文】

绝缘子表面污层位置对流注放电的影响

作者:王黎明 朱博 孟晓波 梅红伟 关志成 周军 清华大学深圳研究生院 深圳518055 中国电力科学研究院 北京100192
3电极结构   复合绝缘子   流注放电   污层位置   电场畸变  

摘要:为研究流注的产生和传播对污闪过程的影响因素,利用3电极结构,通过光电倍增管得到的光脉冲信号来检测流注在极板问的传播过程,得到了流注的传播概率曲线和传播速度。通过比较测量结果,对绝缘子表面不同位置涂覆污秽层时的传播特性进行研究。研究表明:污秽带的位置对流注的稳定传播电场影响很大,污秽带涂覆在绝缘子表面上、中、下3个位置时,流注放电的稳定传播电场分别为503、598、646kV/m;外加电场相同时,流注的传播速度随着污秽带向下移动而不断减小。仿真计算的结果表明:污秽带涂覆不同位置时绝缘子表面电场分布畸变很明显,污秽带位置不同,电场畸变也有所不同,在污层区域平均电场有明显减小。污层影响绝缘子表面的电场分布,导致流注传播特性产生变化。

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