首页 期刊 高电压技术 可控硅交流调压整流输出残压的分析及消除 【正文】

可控硅交流调压整流输出残压的分析及消除

作者:刘小宁; 王付胜 中国科学院等离子体物理研究所,合肥230031
lhcd可控硅交流调压   残压   等效电路   过压保护  

摘要:为消除传统交流调压电路用低杂波电流驱动(LHCD)电源时高达数kV的直流残压,分析了可控硅交流调压器的等效电路,该结果表明残压产生的原因是变压器励磁电感和可控硅过压保护电容形成了谐振电路.在此基础上提出了一种新型可控硅换相过压保护接线法,分析表明该法既可防止可控硅过电压和过大的du/dt,又可有效消除直流侧残压,大大提高了LHCD装置运行的安全性.

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