首页 期刊 分析化学 “忆阻模型”的推广及应用 【正文】

“忆阻模型”的推广及应用

作者:夏广杰; 徐博磊; 宣哲; 陈露洪; 毕树平 南京大学化学化工学院; 南京210093
对称性原理   电子元件   应用   模型   memory  

摘要:2008年Nature发表了专题评述-“The Missing Memristor Found”,对Leon Chua教授所提出的“忆阻元件”的存在予以了明确证明。论文指出,根据对称性原理,目前存在的三种基本电子元件(电阻、电容、电感)并不能完全涵盖电流、电压、电量以及磁场之间的关系,必须补充上一个忆阻元件(Memristor:memory resistor)才能使其对称性完备。而忆阻是联系磁通量与电量关系的物理量,忆阻值的变化与元件中电荷的迁移与重新分布有关。

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分析化学

影响因子:1.45

期刊级别:北大期刊

发行周期:月刊