首页 期刊 复合材料学报 均匀沉淀法制备核-壳型TiO2@SbxSn1-xO2及其导电性能 【正文】

均匀沉淀法制备核-壳型TiO2@SbxSn1-xO2及其导电性能

作者:王亚男; 钱建华; 邢锦娟; 陈宇昕 渤海大学功能化合物的合成及应用辽宁省重点实验室; 锦州121000; 辽宁石油化工大学化学化工与环境学部; 抚顺113001
均匀沉淀   tio2   掺锑二氧化锡   包覆机制   电阻率  

摘要:以尿素为沉淀剂,采用均匀沉淀法包覆改性TiO2,制备了核壳型TiO2@SbxSn1-xO2(ATO)复合导电粉体,利用SEM、EDS、HRTEM、XRD、XPS、顺磁波谱仪(EPR)、FTIR及激光粒度仪(LPSA)等对其进行表征,并对其导电性的主要影响条件进行了研究及分析,提出了均匀沉淀包覆及反应机制。研究表明,反应温度为92℃时,尿素与金属阳离子摩尔比为10∶1的情况下,OH-释放量及释放速率适中,引入SO24-作为催化剂,降低金属阳离子成核能垒,且SO24-与Cl-最佳摩尔比为1∶25时,所得产品的纳米SbxSn1-xO2(ATO)壳层在TiO2表面包覆均匀连续完整,其厚度约为15nm。当包覆完全时,随着Sb掺杂量增加,复合粉体电阻率降低,Sn与Sb摩尔比达到12∶1时,再增加Sb含量,其电阻率不变。最优制备条件下,复合粉体电阻率值为7.5Ω·cm,导电性能良好。

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