摘要：以Ti（OC4H9）4水解形成的溶胶体系为模板，以AgNO3为银纳米线的前驱体，低温下合成长径比为50～60的银纳米线，采用TEM和XRD对所制得的银纳米线进行表征。以银纳米线作为导电胶的导电填料，成功制备了一种高电导率的各向同性导电胶。导电胶的电学性能和力学性能测试表明：这种导电胶在导电填料含量为56wt％时的电导率比填充75wt％微米银粒子的导电胶高约6倍（体积电阻率为1．2×10^-4Ω·cm）。由于填料含量的降低，该导电胶的抗剪切强度（以Al为基板时的抗剪切强度为17．6MPa）相比于填充75wt％微米银粒子和75wt％纳米银粒子导电胶均有不同程度的提高。

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