摘要：采用自组装技术，利用均聚极性高分子（聚丙烯酰胺、聚乙烯醇等）长分子链作为自组装模板在半导体硅衬底上自组装生长出ZnO纳米线。采用扫描电镜（FE-SEM）和透射电镜（HRTEM）对样品的表面形貌和结构分析表征的结果表明，ZnO纳米线直径约50～80nm、长度大于4μm，具有六方纤锌矿单晶结构，且沿c轴方向择优取向生长。采用室温下光致发光（PL）谱和紫外吸收（UV）光谱对制得的ZnO纳米线的光学性能研究表明，其PL光谱上有较强的紫外发射和较弱的蓝光发射，UV吸收光谱表明样品在紫外区有强的宽带吸收，且随着纳米线粒径的减小，吸收峰出现了蓝移现象。研究探讨了高分子诱导ZnO纳米线自组装定向生长机制、发光机理及其与工艺条件的内在联系。

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