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含色散介质的一维光子晶体微腔中简正耦合模的物理图像

作者：陈淑文; 汪先明; 李鸿; 何弦; 吴评 刊期：2005年第06期

对一维光子晶体中的色散介质采用洛仑兹振子模型,对线性层及色散δ层均采用传输矩阵的方法,研究了一维含色散介质的光子晶体微腔中的简正耦合模.通过改变洛仑兹振子和微腔之间的失谐频率,分析了简正耦合模频率的变化情况.在失谐频率比较大时,光与洛仑兹振子间的耦合作用较小,简正耦合模中的一个接近腔模频率,而另一个则接近洛仑兹振子的共振频率;...

抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数

作者：丁朝华; 赵翠兰; 肖景林 刊期：2005年第06期

讨论电子与体纵光学(LO)声子弱耦合时对抛物量子线中极化子性质的影响. 采用Tokuda改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,导出了抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数随拉格朗日乘子变化的规律及极化子振动频率随量子线约束强度的变化规律.并以ZnS量子线为例进行了数值计算,结果表明:抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量m...

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刊期：2005年第06期

抛物量子阱中束缚极化子的极化势和结合能

作者：元丽华; 王旭; 安张辉; 马军 刊期：2005年第06期

利用改进的Lee-Low-Pines(LLP)方法,用变分法计算了无限深抛物量子阱中同时考虑与体纵光学声子和界面纵光学声子相互作用的束缚极化子的极化势和结合能.数值计算得出:阱宽较大时极化势很小,阱宽较小时极化势较大,所以对于较窄的抛物阱必须考虑极化势.对于给定阱宽的抛物阱,随着远离阱中心极化势迅速减小,当到达阱的界面附近极化势又开始增大.阱...

柱形量子线中体纵光学声子平均数

作者：薛惠杰; 肖景林 刊期：2005年第06期

考虑电子与体纵光学声子相互作用时,采用LLP变分方法,研究柱形量子线中极化子性质,导出了柱形量子线中极化子光学声子平均数随量子线截面半径和电子-LO声子耦合强度的变化关系.结果表明柱形量子线中极化子的光学声子平均数随量子线截面半径减小而减小,随电子-LO声子耦合强度增强而增加.

《发光学报》重要通知

刊期：2005年第06期

氮化物抛物量子阱中类氢杂质态能量

作者：赵凤岐; 萨茹拉; 乌仁图雅 刊期：2005年第06期

采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/AlxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系.研究结果表明,基态能量、第一激发态能量、基态结合能和1s→2p ±跃迁能量随着阱宽L 的增大而减小,最后接近于GaN中3D值.GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱对杂质态的束缚程度比GaAs/Al0...

Yb：YAG晶体的闪烁特性

作者：杨培志; 邓佩珍; 徐军; BELOGUROV; S 刊期：2005年第06期

通过不同Yb3+掺杂浓度(5%～30%,原子数分数)的Yb : YAG晶体的阴极射线发光谱、衰减时间、光输出及其温度依赖关系的测量,研究了Yb : YAG晶体的闪烁性能.不同Yb3+掺杂浓度的Yb : YAG晶体具有不同的光输出和猝灭温度,光输出随Yb3+掺杂浓度的增大而降低,猝灭温度则随掺杂浓度的增大而升高.室温下Yb : YAG晶体的发光衰减时间较短,均小于50 ns.Yb3+掺...

基质组成对Eu，Dy共掺杂铝酸锶发光性能的影响

作者：吕兴栋; 方勤; 舒万艮 刊期：2005年第06期

研究了基质组成对xSrO·yAl2O3:Eu2+,Dy3+体系长余辉发光性能的影响,并对其影响机理进行了探讨.XRD分析结果和长余辉发光性能表明,改变Al2O3/SrO比率可以获得长余辉发光性能较好的三种基质相:SrAl2O4:Eu2+,Dy3+、 Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+和SrAl4O7:Eu2+,Dy3+.激发与发射光谱性能分析和余辉衰减特性分析结果表明,随着基质中Sr/Al比例的减小,激发光谱...

退火处理对ZnS：Cu，Mn电致发光材料亮度的影响

作者：董国义; 林琳; 韦志仁; 窦军红; 葛世艳; 李军; 刘超; 李志强 刊期：2005年第06期

ZnS系列电致发光已经在低亮度照明、液晶显示、汽车和航空仪表等领域得到广泛的应用.Mn、Cu是ZnS电致发光材料常用的激活剂,Mn2+在晶体中形成橙色发光中心,发光中心波长580 nm;Cu+在晶体中不但形成发光中心,还形成发光所必需的CuxS,因此二者对发光亮度有明显的影响.由于ZnS :Cu,Mn橙色发光材料中的Mn掺杂量较大,影响了发光材料的内在结构,在灼烧...

《发光学报》进入科技精品库

刊期：2005年第06期

《中国知识资源总库·科技精品库》是目前我国最大的综合性知识信息库。该库充分利用现代网络技术条件，将使我国优秀科技期刊以最快的速度、在最广泛的范围得以传播。通过对《中国期刊全文数据库》中近8000种期刊10年的引文统计分析与综合评价，筛选出500种高水平科技期刊，进行全面系统、完整的数字化整合，以期建成我国具有代表性的、完备的、...

以LiF修饰阴极的有机电致发光器件性能的提高

作者：黄永辉; 李宏建; 代国章; 谢强; 潘艳芝; 戴小玉 刊期：2005年第06期

提出了用一种无机半导体的模型来计算有机电致发光器件(OELDs)的J-V特性.通过在金属/有机物界面插入薄LiF层,由此引入的偶极子能极大地降低了电子的注入势垒和OELDs的开启电压.从而,载流子的注入得到了平衡,OELDs的性能得到了较大提高.经过数值计算,发现LiF插入层有一个约为1.5～5.0 nm的最优厚度.LiF层太厚或太薄都会提高器件的开启电压、降低...

《发光学报》——中文核心期刊（物理学类；无线电电子学、电信技术类）

刊期：2005年第06期

《发光学报》是中国物理学会发光分会与中国科学院长春光学精密机械与物理研究所共同主办的中国物理学会发光分会的学术会刊。该刊是以发光学、凝聚态物质中的激发过程为专业方向的综合性学术刊物。

新型蓝光OLED材料和器件

作者：陈志坚; 李福山; 龚旗煌 刊期：2005年第06期

基于有机材料的电致发光技术可以应用于超薄平面显示和有机固体激光器等方面,在近20年来取得了飞速的发展,基本实现了红、绿、蓝三基色发光.绿色材料发展最快,基本达到了商业化实用阶段,而红色和蓝色材料的问题较多,特别是稳定、高效率的蓝光更具有挑战性.综述了近期我们对蓝光材料的分子设计与合成,以及蓝光器件的一些研究.主要包括金属络合物2...

MOCVD侧向外延GaN的结构特性

作者：方慧智; 陆敏; 陈志忠; 陆羽; 胡晓东; 杨志坚; 张国义 刊期：2005年第06期

侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的.观察ELO-GaN 扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群.X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜.拉曼散射谱表明,掩膜...