摘要：利用阳极氧化铝(AAO)模板,采用电化学沉积方法制备出了ZnS纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致(约50 nm),孔口呈六边形.TEM结果显示硫化锌纳米线的直径约50 nm(与AAM模板孔径一致),长度约为20μm(与AAM模板厚度一致).电子衍射结果表明ZnS纳米线为多晶结构.比较了AAO模板组装ZnS纳米线阵列前后的光致发光谱,所得光谱显示,组装了ZnS纳米线阵列的模板的光致发光谱比没有组装的空模板相比多出两个发射峰,分别位于409,430 nm,且其发光强度随激发波长的增长而增强.解谱分析表明,这即为ZnS纳米线阵列的发光光谱的两个发射峰,是由导带与受主能级间的跃迁发光和施主与受主能级间的复合跃迁发光共同作用所致.发现由于纳米线尺寸的单一性,发射峰窄化明显,半峰全宽较小,这种现象在其他文献中未曾报道过.

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