首页 期刊 电子元器件应用 CMOS带隙基准电压源的设计 【正文】

CMOS带隙基准电压源的设计

作者:闫新强; 张玉明; 林智 西安电子科技大学微电子学院; 陕西西安710071
cmos模拟电路   带隙基准电压源   电压稳定性   温度特性  

摘要:给出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺设计的新型高性能带隙基准电压源的设计方法.该方法采用高增益两极运算放大器结构来降低失调电压。文中给出了采用Cadence软件进行电路设计、电路仿真以及版图设计、版图仿真的具体做法。

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