摘要：基于非等温能量平衡传输模型,利用Silvaco-TCAD全面系统地分析了发射区半宽度（LE）、发射区边缘刻蚀结构以及浮空发射区结构对NPN型硅大功率晶体管（GTR）直流正偏二次击穿特性的影响。结果表明：当LE为130μm时,GTR直流正偏二次击穿临界点电压（VSB）最高。对于LE为150μm的GTR,当发射区边缘横向刻蚀距离为10μm时,对直流正偏二次击穿的改善效果最好。当浮空发射区与发射区边缘间距减小到17μm时,浮空发射区开始发挥改善直流正偏二次击穿特性的作用。
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