摘要：IGBT（Insulate Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管）已得到广泛应用。为提高封装阶段的成品率,需对芯片的高温漏电特性进行测试。通过对芯片测试参数的分析,提出了可通过对Vgth（阈值电压）的测试、比对,实现对芯片在高温测试条件下实际测试温度的校正。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社