摘要：在分析芯片内部分层不良的过程中发现使用N型EMC所生产的产品占据了所有分层不良的绝大多数。对使用N型EMC生产制程中从注胶模压到弯脚成形的每一个步骤完成后均对产品进行超声波探测（SAM）,发现去残胶制程（De-flash）最有可能导致芯片内部分层,而其他制程不会导致分层。EMC是由许多高分子树脂材料及各种添加剂组成,这些高分子材料的分子链中包含了许多活性功能键,如-COOH、-SH、-CO、-OH、-NH2等。这些活性功能键是可电离化的,并可以在不同的pH值时吸收或释放电子。这种功能键吸收释放电子的现象会导致高分子材料膨胀或塌缩。通过实验证实了用N型EMC生产的芯片在浸入pH值为14的溶液中超过30min后会引起芯片内部分层并且芯片外形尺寸有2~4个mils的变化。为了控制这种变形及分层,针对由N型EMC封装的芯片采用电化学法去残胶制程的溶液pH值应保持在6到12之间。

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