摘要:一般而言,闪存的工作原理是借助将浮动多晶硅(浮动栅)覆盖在栅氧化物上,来保存位于其上的电荷。此时闪存位单元的编程需要一个高电压场,才能将电子的速度提高到足够快,以便电子能够克服硅物质和浮动栅之间的氧化物的能量障碍,使电子能够穿过氧化物,给浮动栅充电,而浮动栅又会改变位单元晶体管的电压阈值。
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