首页 期刊 电子设计应用 采用零电压开关消除米勒效应 【正文】

采用零电压开关消除米勒效应

作者:Christophe; BASSO 安森美半导体
零电压开关   mosfet   导通损耗   输入电容   效率下降  

摘要:设计电源时,工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题.在出现较大RMS电流的情况下,比如转换器在非连续导电模式(DCM)下工作时,若选择Rds(on)较小的MOSFET,芯片尺寸就会较大,从而输入电容也较大.也就是说,导通损耗的减小将会造成较大的输入电容和控制器较大的功耗.当开关频率提高时,问题将变得更为棘手.

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