摘要：在原有的超结Trench VDMOS技术的基础上引入部分埋氧层,设计了一种新型的部分埋氧的抗辐照超结沟槽功率器件。在Sentaurus TCAD软件环境下,使用SDE和Sdevice仿真模拟,通过调节部分埋氧层的长度,埋氧深度以及厚度等参数,对其耐压,导通电阻,动态特性以及抗辐照能力进行仿真和分析。当埋氧层深度为0.8 μm,埋氧层长度0.4 μm,其耐压相对于传统的超结Trench VDMOS提高了10%, Vgate=4.5V时Rdson为7.74E4 Ω·μm,器件抗辐照能力大大提高。

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