首页 期刊 电子器件 一种1.8V24×10^-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源 【正文】

一种1.8V24×10^-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源

作者:马建斌; 金湘亮; 计峰; 陈杰 山东大学物理与微电子学院; 济南250100; 中国科学院微电子研究所; 北京100029
带隙基准电压源   cmos工艺   宽温度范围   电源抑制比   电路版图  

摘要:阐述了一种输出电压为853mV的带隙基准电压源电路,该电路采用0.18肿标准CMOS工艺实现,可在1.8V的电源电压下工作,在-20℃到120℃温度范围内其温度系数为24×10^-6/℃。在频率低于10kHz时,电源抑制比保持在-66dB。电路版图的有效面积为0.022mm^2。该电路已成功应用于低功耗CMOS图象传感器芯片当中。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

学术咨询 免费咨询 杂志订阅