首页 期刊 电子科技文摘 半导体与微电子技术 【正文】

半导体与微电子技术

沟道效应   场效应晶体管   电子迁移率   阈值电压   系统级芯片  

摘要:<正> 本会议录收集了会上发表的72篇论文,内容涉及蓝宝石上硅 CMOS 有源像素传感器,全耗尽 SOI 器件用4管 Schmitt 触发器,系统级芯片设计 SOI MOS-FET 分析,SOI 浮体存储器,应变硅技术β比率电路技术,SOI 碳纳米管场效应晶体管,MOSFET,超薄应变SOI CMOS 短沟道效应和阈值电压控制,纳米级应变硅生长对绝缘体上 SiGe 电子迁移率的影响,未来微处理机 FinFET 技术。

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