摘要：<正>本会议录收集了会上发表的121篇论文。内容涉及高 K 电介质.BEOL 电解质,晶体管,静电放电,化合物半导体,MEMS,封装工艺,存储器,失效分析,锗硅合金,90nm CMOS 工艺,硅片反应离子刻蚀检测小尺寸氧沉积。ESD 保护电路 I/O 信号锁定现象,铜金属化中时间相关电介质击穿物理模型,倒装芯片 UBM可靠性。GaAs FET 失效机制,闪速存储器可擦写机理。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社