首页 期刊 电子科技 2.5D硅转接板TSV结构研究 【正文】

2.5D硅转接板TSV结构研究

作者:刘建松; 林鹏荣; 黄颖卓; 练滨浩 北京微电子技术研究所; 北京100076
tsv   有限元分析   模型简化   温度循环   结构参数  

摘要:针对结构参数对TSV可靠性影响不明确的问题,文中采用有限元分析和模型简化的方法,分析了TSV结构在温度循环条件下的应力应变分布,并进一步研究了铜柱直径、SiO 2层厚度以及TSV节距等结构参数对TSV结构可靠性的影响。结果表明,采用文中的方法简化模型后得出的结果拟合度在0.95以上;在TSV结构上施加温度循环载荷时,在SiO 2界面会出现应力集中,而在钝化层中会出现应变增大;改变铜柱直径、绝缘层厚度和TSV节距将显著影响TSV结构的可靠性;减小填充铜的直径、增加SiO 2层的厚度、增加TSV节距,都将有助于减小TSV结构的最大应力。

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