摘要：GaN器件与第二代的砷化镓(GaAs)器件相比,具有功率密度更高,耐高温特性更好,禁带更宽等优点。本文简要介绍GaN器件的几种最新技术和其在诸如“太空篱笆”系统、三坐标远程雷达(3DELRR)、驱逐舰防空反导雷达(AMDR)的几种应用实例。

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