摘要：针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si（111）衬底上制备了100 mm（4英寸）无裂纹GaN外延材料。试验结果表明,AlN/Al GaN各层厚度的合理搭配和低温AlN插入层可以起到良好的应力调控效果,无裂纹GaN层生长厚度达到1.6μm,晶体质量良好,表面粗糙度低于2 nm;HEMT结构外延片电学性能测试结果表明Si衬底GaN的生长质量满足制备器件的要求。

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