摘要：高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制一直是GaN基射频微波器件的重要发展方向。采用自主研制的生产型高温MOCVD设备进行AlGaN/GaN HEMT结构材料的生长,通过高温MOCVD外延生长技术改善了AlGaN势垒层、AlN插入层的晶体质量和表面质量,从而获得了较高二维电子气迁移率的AlGaN/GaN HEMT结构材料。高分辨X射线衍射仪的分析表明,AlGaN外延层Al组分含量为22.7%,厚度为19.4 nm;Hall效应测试仪的测试表明,HEMT结构材料的室温二维电子迁移率和浓度分别为2 040 cm~2/V·s和6.15×10~（12） cm~（-2）,具有较为优异的二维电子气输运性能。上述研究结果表明：国产高温MOCVD设备可为高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制提供新的设备平台。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社