电子工业专用设备杂志 部级期刊

无掩模光刻技术的最新进展

作者：莫大康 刊期：2005年第02期

据VLSI的报道,尽管浸入式光刻技术似乎为全球半导体工艺路线图又打开一扇明亮的窗.

国产半导体设备迎来新一轮增长

刊期：2005年第02期

2000年以来，国产设备的销售额逐年递增，平均增长率在25％以上，但相对国外设备在我国的销售额，国产设备所占的份额还是很小。然而随着国产设备的可靠性、适用性的逐步提高，越来越引起下游生产厂家的注意，国产设备以其方便快捷的服务逐步为下游生产厂家所注重。

光刻设备市场与技术现状

作者：童志义 刊期：2005年第02期

由于半导体制造工艺的快速推进,工艺节点已进入90nm的时代承担90nm工序的是波长193nm的ArF曝光设备.2003年的ArF曝光设备供货数量约为75台.虽然数量比ArF及i线半导体曝光设备要少,但却在稳步增长.

采用双扫描平台技术的ArF浸液式光刻

作者：Jan; Mulkens; Bob; Streefkerk; Martin; Hoogendorp; 童志义 刊期：2005年第02期

在193 nm光刻中,已证明水是一种适于浸液式光刻的液体.浸液式光刻提出了一种可将传统的光学光刻拓展到45 nm节点,甚至到32 nm节点的潜能.另外,利用现有的透镜,浸液式光刻的选择提出了根据实际的数值孔径和特征图形可增大50%及更大的焦深范围.讨论了采用浸液式光刻获得的成像结果和套刻结果.采用一个0.75数值孔径的ArF透镜,我们用双扫描平台技术(...

日、美谋划扩大零关税产品范围

刊期：2005年第02期

目标瞄准高端彩电等新兴高科技产品日、美谋划扩大零关税产品范围。名词解释：何谓ITAⅡ。日、美等国家正在酝酿将消费电子产品纳入《信息技术协议》(ITA)中，以扩大零关税产品范围。业内人士习惯将这种提议称之为ITAⅡ。

0．18μm铜金属双重镶嵌工艺中空间成像套刻精度分析

作者：BerndSchulz; HarryJ．Levinson; RolfSeltmann; JoelSeligson; PavelIzikson; AnatRonen 刊期：2005年第02期

由于空间成像套刻(Overlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧,因此,Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高.通过对后开发(After Develop DI)阶段和后蚀刻(After Etch FI)阶段的Overlay测量结果进行比较,研究了0.18 μm设计规范下的铜金属双重镶嵌工艺过程中的Overlay准确度.在确保对同一个晶圆进行后开发(DI)阶段和后蚀刻(FI)...

X射线光刻对准系统图像增强技术和对准标记研究

作者：王德强; 谢常青; 陈大鹏; 叶甜春; 刘业异; 胡松 刊期：2005年第02期

作为微细加工技术之一的高分辨率光刻技术--同步辐射X射线光刻(XRL)可应用于100nm及100nm节点以下分辨率光刻,高精度对准技术对XRL至关重要,直接影响到后续器件的生产质量.目前国内的XRL对准系统主要采用CCD相机和显微物镜采集图像,经过计算机图像处理程序进行自动对准;图像边缘分辨是图像处理部分的关键,直接决定了对准精度.针对3种不同的图像...

纳米压印光刻模版制作技术

作者：范东升; 谢常青; 陈大鹏 刊期：2005年第02期

在下一代光刻技术中,光刻的成本越来越高,这使得工业界开始寻找新的技术.纳米压印作为非光学的下一代光刻技术,具有分辨率高、成本低、产率高等诸多优点,因而可能应用于将来的半导体制造中.同时,纳米压印也可以用于微机电系统(MEMS)和其他纳米结构的图形复制.纳米压印光刻技术主要包括热压印、紫外固化压印和微接触法压印.介绍了在这3种纳米压印...

基于低能电子束的光刻技术

作者：魏强; 张玉林; 宋会英 刊期：2005年第02期

讨论了聚焦电子束曝光中的邻近效应问题,阐述了扫描隧道显微镜的原理和工作方式.把扫描隧道显微技术用于低能电子束的光刻,不仅能提高图形的分辨率,而且使电子束加工工艺不再局限于真空环境.对曝光电子的能量和线条宽度之间的关系进行了分析.

IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

作者：马万里; 赵建明; 吴纬国 刊期：2005年第02期

针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法.

欢迎点击2005年《电子工业专用设备》

刊期：2005年第02期

高斯电子束曝光系统

作者：杨清华; 刘明; 陈大鹏; 叶甜春 刊期：2005年第02期

电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色.虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形,对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究,并得到一些比较理想的...

聚合物纳米印刷技术分辨率达到分子尺度

刊期：2005年第02期

生物谷报道：研究人员通过使用源自碳纳米管的模子已经使得一种广泛使用的聚合物纳米印刷技术的分辨率达到了分子尺度。通过精确地复制纳米级特征，这项技术将可能在微电子学、纳米液体和生物技术领域扮演一个重要角色。这项研究成果公布在Nano Letters杂志上。

SEMI和SIA合作研究纳米市场阐释机遇与挑战

刊期：2005年第02期

国际半导体设备与材料组织(SEMI)与美国半导体行业协会(SIA)日前宣布将共同对电子产业中纳米技术的应用进行一项综合研究。该项研究将对全球蓬勃崛起的纳米电子市场进行解说，并从全球视角阐述设备和材料供应商所面临的机遇和挑战。

φ300mm半导体设备需求持续增长

刊期：2005年第02期

日本厂商最近的行动显示，2004年是全球半导体制造设备工艺技术从φ200nm向φ300mm转变的转折点。全球半导体制造设备采用φ300mm工艺技术的起步较慢，这种转变开始于上世纪90年代中期。