摘要：基于SOI技术对器件特性的良好改善和槽栅MOS器件在深亚微米领域抑制短沟道效应和抗热载流子效应方面的显著优势,对SOI槽栅CMOS器件在0.1 μm尺寸下的电学特性进行了模拟仿真,仿真结果表明,基于SOI衬底的槽栅CMOS器件除了拥有槽栅器件独特优势之外,还很好地抑制了栅极漏电和阈值偏高等体硅槽栅MOS所具有的特性缺陷,得到了更加理想的实验结果.

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