首页 期刊 电子工艺技术 高Q值铜内电极MLCC烧结工艺研究 【正文】

高Q值铜内电极MLCC烧结工艺研究

作者:胡霞; 曾雨 广东风华高新科技股份有限公司新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室; 广东肇庆526020
铜内电极   q值   损耗   绝缘   烧结温度  

摘要:提出了一种高Q值铜内电极多层陶瓷电容器(MLCC)的烧结工艺。研究了烧结工艺中烧结温度、保温时间以及烧结环境对高Q值铜内电极MLCC的损耗和绝缘性能的影响,结果发现,合适的烧结温度可以使陶瓷晶粒生长充分,同时可以防止铜内电极出现挥铜现象。合适的保温时间可以在一定程度上改善瓷体颜色发白的现象。特殊的烧结环境可以使陶瓷芯片烧结更加致密,从根本上解决颜色发白的问题,从而解决铜内电极MLCC沉积后存在的损耗上升和绝缘性能下降的问题。

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