摘要：负偏置温度不稳定性(NBTI)效应促使晶体管的阈值电压不断升高,老化加剧,最终造成电路时序违规。现有的用于缓解由NBTI引起的电路老化插入传输门(TG-based)技术,在获取关键门时只考虑电路中单条路径的老化情况,而未考虑门与保护路径之间的相关关系,因此获取的关键门存在冗余。针对这一问题,在充分考虑门与保护路径之间的相关关系后,定义权值,更加精准的识别路径中的关键门集合,再对关键门进行插入传输门保护。实验结果显示,当电路的时序余量为5%时,电路的平均时延改善率为38.18%,面积开销相比现有方案平均改善了61.8%。

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