首页 期刊 电子测量技术 一种0.11μm SRAM PUF芯片的测试与分析 【正文】

一种0.11μm SRAM PUF芯片的测试与分析

作者:刘登科; 刘伟; 宋贺伦; 殷志珍; 茹占强; 吴菲; 赵俊君 中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院; 合肥230026; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 苏州215123
fpga   sram   puf   串口通信   芯片测试  

摘要:物理不可克隆函数(PUF)是一种新型的信息安全硬件,在物联网、消费电子等领域正得到越来越广泛的应用。由于易于设计和制造,而且性能稳定,基于SRAM的PUF是目前得到工业界最广泛应用的PUF类型。针对一款自主设计的基于华虹0.11μm CMOS工艺的SRAM PUF,通过设计FPGA测试电路,PUF芯片测试板,对PUF芯片的片内汉明距离、片间汉明距离、稳定性等关键指标进行了详细测试和分析。测试结果表明,该PUF的片间汉明距离达到42.2%,片内汉明距离20.0%,可以满足身份识别、电子标签等应用的需求。同时,提出了对不稳定位进行筛选的系统级优化方法,可以在不进行模糊提取的情况下将片内汉明距离降低到2.1%。

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