摘要：采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜，研究溅射气体流量比对薄膜性能的影响，利用XRD对薄膜结构进行表征，SEM表征薄膜的表面形貌，讨论了溅射气体流量比对薄膜电学性质的影响。结果表明，当Ar／O2为1／0．05时，得到p型ZnO：P，其电阻率为59．80Ωcm，迁移率为0．49cm^2／Vs，空穴载流子浓度为2．33×10^17cm^-3。

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