摘要：线宽均匀性（CDU）影响芯片的速度和功耗等性能，多次光刻工艺过程中，光刻胶膜厚均匀性直接影响CDU。本文研究了多次光刻过程中光刻胶膜厚均匀性与匀胶时间、匀胶转速以及软烘时间的关系。实验结果表明晶圆表面形貌对多次光刻的光刻胶膜厚均匀性有较大影响，通过优化多次光刻的匀胶时间、匀胶转速以及软烘时间，提高了多次光刻工艺中光刻胶膜厚均匀性。获得了最佳光刻工艺参数：匀胶时间10s、匀胶转速2500rpm／s、软烘时间150s，与传统工艺相比较，膜厚均匀性提高了约29．96％，CD均匀性提高了约24．77％。

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