摘要:采用第一性原理赝势平面波方法计算了三斜晶系低对称层状半导体二硫化铼(ReS2)的晶体结构、电子结构及光学性质.结果表明:扭曲的1 T结构为ReS2的稳定结构, Re原子与其周围的S原子形成六配位的近似八面体结构,Re-S键长最大偏差为8.3%,Re-S键布局数最大偏差为40.5%,表明ReS2结构的低对称性;ReS2为直接带隙半导体,费米面附近的价带和导带主要由Re的5d及S的3p轨道电子构成,其中Re的5d轨道电子的贡献最大;当入射偏振光沿着[100]和[010]方向时,介电函数的实部(或虚部)非常接近,而当入射偏振光沿[001]方向时,介电函数的实部(及虚部)表现出明显的各向异性,主要是由于ReS2的结构低对称性和弱层间耦合造成的.
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