首页 期刊 电气应用 基于IGBT门驱动减小PWM逆变器死区影响的策略 【正文】

基于IGBT门驱动减小PWM逆变器死区影响的策略

作者:朱思国; 欧阳红林; 金永顺; 孙建明 湖南大学电气与信息工程学院; 410082
电压源型逆变器   死区时间   pwm信号  

摘要:提出了一种新颖的IGBT门驱动方法,对于PWM电压源型逆变器,其容易在IGBT的门驱动器中实现。用这种方法,逆变器同一相的上、下IGBT可以接收理想的没有死区的PWM信号,并且不会引起直通问题。描述了所提出IGBT门驱动方法的原理,并且仿真结果证明了该方法的正确性。

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