摘要：介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积（CVD）外延生长及其竞位掺杂方法。使用“热壁”CVD外延生长系统，在4英寸4°偏角n^＋型4H-SiC衬底上进行了P型4H-SiC外延层及P型绝缘栅双极型晶体管（p-IGBT）器件用p^-n^＋结构材料生长，利用CandelaCS920表征了100μm厚P型4H-SiC外延层表面缺陷及结构缺陷．典型表面缺陷为三角形缺陷和胡萝卜缺陷，3种结构缺陷分别是基晶面位错（BPD）、三角形肖克利型层错（SSF）和条形层错（BSF）。微波光电导衰退法（μ-PCD）测试表明，100μm厚P型4H-SiC外延层载流子寿命为2．29μs，采用二次离子质谱（SIMS）测试方法分析了不同铝（m）掺杂浓度的深度分布，最高Al掺杂浓度为2×10^19cm^-3。

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