摘要：SiC绝缘栅双极型晶体管（IGBT）兼具了导通损耗低、开关频率高的显著优势，已成为下一代高压开关器件的重点研究对象。然而，由于高质量的SiC衬底、外延材料制备不易，器件机理及工艺流程较为复杂，研究开发过程比较缓慢。通过针对性的器件物理建模，在此基于Silvaco软件完成了器件的正向导通特性仿真，分析了缓冲层及结型场效应晶体管（JFET）区对器件正向性能的影响，并基于以上结果进行了实际流片，测试结果基本符合理论预期。

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