摘要：针对氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）电力电子器件应用面临的挑战，从阈值电压回滞效应、电流崩塌效应和增强型的实现等进行讨论。在CaN表面沉积Si3N。前进行原位氮（N）等离子体处理，制备CaN金属绝缘体半导体（MIS）HEMT器件，阈值电压回滞270mV，600V关态电压，动态电阻上升18％。增强型器件研究方面，提出一种采用氢（H）钝化p-GaN技术制备增强型GaNHEMT器件的新方法，器件的阈值电压为1．75V。饱和电流为188mA／mm。

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